1550nm 强度
1550nm强度调制器
1550nm强度调制器[IM15系列]
一、产品简介
基于Mach-Zehnder干涉结构的强度调制器通过对光波的相位进行调制，可以实现干涉光波的光强变化。IM15系列强度调制器采用退火质子交换工艺在铌酸锂晶片上制作具有单偏振（起偏）特性的低损耗光学波导，因此具有优秀的偏振稳定性，并且可以在高输入光功率条件下保持器件光学指标的稳定性。
低速型的强度调制器采用了高阻抗的集总式调制电极结构，适用于低调制速率（如DC~500MHz）的应用场景。高速型的强度调制器采用了50Ω阻抗的共面行波调制电极结构，适用于高调制速率（如1~10GHz）的应用场景
IM15系列强度调制器具有低驱动电压、高稳定性、小型化等显著特点，可应用于光纤传感、光纤通信、微波光纤链路、激光相干合成等领域。
二、产品系列与典型指标
1、IM1500系列【低速强度调制器】
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类型 |
指标 |
典型值 |
单位 |
|
光学指标 |
晶体切向 |
X切Y传 铌酸锂 |
－ |
|
波导工艺 |
质子交换（单偏振） |
－ |
|
|
工作波长 |
1550 nm ± 20 |
nm |
|
|
插入损耗 |
5.0 |
dB |
|
|
尾纤偏振消光比 |
20 |
dB |
|
|
开关消光比 |
20 |
dB |
|
|
光回波损耗 |
-45 |
dB |
|
|
电学指标 |
RF半波电压 |
4.0 |
V |
|
Bias半波电压 |
5.0 |
V |
|
|
RF工作带宽（S21） |
DC~500M |
Hz |
|
|
RF电反射（S11） |
－ |
dB |
|
|
RF端口阻抗 |
~1M |
Ω |
|
|
Bias端口阻抗 |
~1M |
Ω |
|
|
RF/Bias电学接口 |
SMA |
－ |
|
|
封装结构 |
输入光纤 |
单模光纤或PM1550XP保偏光纤 纤长≥ 1米、900μm松套管、FC/APC接头 |
－ |
|
输出光纤 |
单模光纤或PM1550XP保偏光纤 纤长≥ 1米、900μm松套管、FC/APC接头 |
－ |
|
|
封装管壳 |
IM03 |
－ |
2、IM15系列【高速强度调制器】
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类型 |
指标 |
典型值 |
单位 |
||
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光学指标 |
晶体切向 |
X切Y传 铌酸锂 |
－ |
||
|
波导工艺 |
质子交换（单偏振） |
－ |
|||
|
工作波长 |
1550 nm ± 20 |
nm |
|||
|
插入损耗 |
5.0 |
dB |
|||
|
尾纤偏振消光比 |
20 |
dB |
|||
|
开关消光比 |
20 |
dB |
|||
|
光回波损耗 |
-45 |
dB |
|||
|
电学指标 |
RF工作带宽（S21） |
1.0 |
5.0 |
10.0 |
GHz |
|
RF半波电压 |
5.0 |
5.5 |
6.5 |
V |
|
|
Bias半波电压 |
7.0 |
V |
|||
|
RF电反射（S11） |
≤ -10 |
dB |
|||
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RF端口阻抗 |
50 |
Ω |
|||
|
Bias端口阻抗 |
~1M |
Ω |
|||
|
RF/Bias电学接口 |
SMA |
－ |
|||
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封装结构 |
输入光纤 |
单模光纤或PM1550XP保偏光纤 纤长≥ 1米、900μm松套管、FC/APC接头 |
－ |
||
|
输出光纤 |
单模光纤或PM1550XP保偏光纤 纤长≥ 1米、900μm松套管、FC/APC接头 |
－ |
|||
|
封装管壳 |
IM03 |
－ |
|||
3、极限工作条件
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指标 |
典型参数 |
单位 |
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输入光功率 |
≤ 100 |
mW |
|
最大射频功率 |
≤ 20 |
dBm |
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工作温度 |
0 ~ +70 |
℃ |
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储存温度 |
-40 ~ +85 |
℃ |
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光纤弯曲半径 |
≥ 50 |
mm |
三、封装管壳尺寸图
（1）IM03型
